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大功率LED燈珠介紹常見大功率LED的 5 種制造方法是哪五種呢？

文章出處：新聞資訊責(zé)任編輯：東莞市閩光電子科技有限公司發(fā)表時(shí)間：2020-10-29

　　　　?大功率LED燈珠是LED燈珠的一種，相對(duì)于小功率LED燈珠來說，大功率LED燈珠的功率更高，亮度更亮，價(jià)格更高。小功率LED燈珠額定電流都是20mA，額定電流高過20mA的基本上都可以算作大功率。

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大功率LED燈珠常見大功率LED的 5 種制造方法：
1、加大尺寸法
　　通過增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸，促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布，以達(dá)到預(yù)期的光通量。但是，簡單地增大發(fā)光面積無法解決散熱問題和出光問題，并不能達(dá)到預(yù)期的光通量和實(shí)際應(yīng)用效果。

2、硅底板倒裝法
　　首先制備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時(shí)制備出相應(yīng)尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層（超聲金絲球焊點(diǎn)），再利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與硅底板焊接在一起。

3、陶瓷底板倒裝法
　　先利用LED晶片通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層，然后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。

4、藍(lán)寶石襯底過渡法
　　按照傳統(tǒng)的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長出PN結(jié)后，將藍(lán)寶石襯底切除，再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED芯片。

5、AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法
　　美國CREE公司是全球唯一采用SiC襯底制造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產(chǎn)的AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。

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